2 இன்ச் 6H-N சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறு சிக் வேஃபர் டபுள் பாலிஷ்டு கண்டக்டிவ் பிரைம் கிரேடு மோஸ் கிரேடு

6H n-வகை சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) ஒற்றை-படிக அடி மூலக்கூறு என்பது உயர்-சக்தி, உயர்-அதிர்வெண் மற்றும் உயர்-வெப்பநிலை மின்னணு பயன்பாடுகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் ஒரு அத்தியாவசிய குறைக்கடத்திப் பொருளாகும். அதன் அறுகோண படிக அமைப்புக்கு புகழ்பெற்ற 6H-N SiC, பரந்த பட்டை இடைவெளி மற்றும் அதிக வெப்ப கடத்துத்திறனை வழங்குகிறது, இது தேவைப்படும் சூழல்களுக்கு ஏற்றதாக அமைகிறது.
இந்தப் பொருளின் உயர் முறிவு மின் புலம் மற்றும் எலக்ட்ரான் இயக்கம், பாரம்பரிய சிலிக்கானில் இருந்து தயாரிக்கப்படும் சாதனங்களை விட அதிக மின்னழுத்தங்கள் மற்றும் வெப்பநிலையில் செயல்படக்கூடிய MOSFETகள் மற்றும் IGBTகள் போன்ற திறமையான சக்தி மின்னணு சாதனங்களை உருவாக்க உதவுகிறது. அதன் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் பயனுள்ள வெப்பச் சிதறலை உறுதி செய்கிறது, இது உயர் சக்தி பயன்பாடுகளில் செயல்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மையை பராமரிப்பதற்கு மிகவும் முக்கியமானது.
கதிரியக்க அதிர்வெண் (RF) பயன்பாடுகளில், 6H-N SiC இன் பண்புகள் மேம்பட்ட செயல்திறனுடன் அதிக அதிர்வெண்களில் செயல்படும் திறன் கொண்ட சாதனங்களை உருவாக்குவதை ஆதரிக்கின்றன. அதன் வேதியியல் நிலைத்தன்மை மற்றும் கதிர்வீச்சுக்கு எதிர்ப்பு ஆகியவை விண்வெளி மற்றும் பாதுகாப்புத் துறைகள் உட்பட கடுமையான சூழல்களில் பயன்படுத்த ஏற்றதாக அமைகின்றன.
மேலும், 6H-N SiC அடி மூலக்கூறுகள் புற ஊதா ஒளிக்கற்றைகள் போன்ற ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் சாதனங்களுடன் ஒருங்கிணைந்தவை, அங்கு அவற்றின் பரந்த பட்டை இடைவெளி திறமையான UV ஒளி கண்டறிதலை அனுமதிக்கிறது. இந்த பண்புகளின் கலவையானது 6H n-வகை SiC ஐ நவீன மின்னணு மற்றும் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் தொழில்நுட்பங்களை முன்னேற்றுவதில் பல்துறை மற்றும் இன்றியமையாத பொருளாக ஆக்குகிறது.