2 இன்ச் 6H-N சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறு Sic வேஃபர் டபுள் பாலிஷ் செய்யப்பட்ட கடத்தி பிரைம் கிரேடு மோஸ் கிரேடு

6H n-வகை சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) ஒற்றை-படிக அடி மூலக்கூறு என்பது உயர்-சக்தி, உயர்-அதிர்வெண் மற்றும் உயர்-வெப்பநிலை மின்னணு பயன்பாடுகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் ஒரு அத்தியாவசிய குறைக்கடத்தி பொருளாகும். அதன் அறுகோண படிக அமைப்பிற்கு புகழ்பெற்றது, 6H-N SiC ஆனது பரந்த பேண்ட்கேப் மற்றும் அதிக வெப்ப கடத்துத்திறனை வழங்குகிறது, இது தேவைப்படும் சூழல்களுக்கு ஏற்றதாக அமைகிறது.
இந்த பொருளின் உயர் முறிவு மின்சார புலம் மற்றும் எலக்ட்ரான் இயக்கம் ஆகியவை MOSFET கள் மற்றும் IGBT கள் போன்ற திறமையான ஆற்றல் மின்னணு சாதனங்களை உருவாக்க உதவுகின்றன, அவை பாரம்பரிய சிலிக்கானில் இருந்து தயாரிக்கப்பட்டதை விட அதிக மின்னழுத்தங்கள் மற்றும் வெப்பநிலையில் செயல்பட முடியும். அதன் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் பயனுள்ள வெப்பச் சிதறலை உறுதி செய்கிறது, அதிக சக்தி பயன்பாடுகளில் செயல்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மையை பராமரிப்பதில் முக்கியமானது.
கதிரியக்க அதிர்வெண் (RF) பயன்பாடுகளில், 6H-N SiC இன் பண்புகள் மேம்பட்ட செயல்திறனுடன் அதிக அதிர்வெண்களில் செயல்படும் திறன் கொண்ட சாதனங்களை உருவாக்குவதை ஆதரிக்கிறது. அதன் இரசாயன நிலைத்தன்மை மற்றும் கதிர்வீச்சு எதிர்ப்பு ஆகியவை விண்வெளி மற்றும் பாதுகாப்பு துறைகள் உட்பட கடுமையான சூழல்களில் பயன்படுத்துவதற்கு ஏற்றதாக அமைகிறது.
மேலும், 6H-N SiC அடி மூலக்கூறுகள் புற ஊதா ஒளிக்கதிர்கள் போன்ற ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் சாதனங்களுக்கு ஒருங்கிணைக்கப்படுகின்றன, அங்கு அவற்றின் பரந்த பேண்ட்கேப் திறமையான UV ஒளி கண்டறிதலை அனுமதிக்கிறது. இந்த பண்புகளின் கலவையானது 6H n-வகை SiCஐ நவீன மின்னணு மற்றும் ஒளியியல் தொழில்நுட்பங்களை மேம்படுத்துவதில் பல்துறை மற்றும் தவிர்க்க முடியாத பொருளாக ஆக்குகிறது.