8 அங்குல SiC உற்பத்தி தர வேஃபர் 4H-N SiC அடி மூலக்கூறு
பின்வரும் அட்டவணை எங்கள் 8 அங்குல SiC வேஃபர்களின் விவரக்குறிப்புகளைக் காட்டுகிறது:
| 8 அங்குல N-வகை SiC DSP விவரக்குறிப்புகள் | |||||
| எண் | பொருள் | அலகு | தயாரிப்பு | ஆராய்ச்சி | போலி |
| 1: அளவுருக்கள் | |||||
| 1.1 समाना समाना समाना समाना स्तुत्र 1. | பலவகை | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 समानाना सम्तुत्र 1.2 | மேற்பரப்பு நோக்குநிலை | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: மின் அளவுரு | |||||
| 2.1 प्रकालिका 2. | ஊக்க மருந்து | -- | n-வகை நைட்ரஜன் | n-வகை நைட்ரஜன் | n-வகை நைட்ரஜன் |
| 2.2 प्रकालिका 2.2 प्रका 2.2 प्रक� | மின்தடைத்திறன் | ஓம் ·செ.மீ. | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3: இயந்திர அளவுரு | |||||
| 3.1. | விட்டம் | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2.2 अंगिराहिती अन | தடிமன் | μமீ | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3. | நாட்ச் நோக்குநிலை | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4. | உச்சநிலை ஆழம் | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | எல்டிவி | μமீ | ≤5(10மிமீ*10மிமீ) | ≤5(10மிமீ*10மிமீ) | ≤10(10மிமீ*10மிமீ) |
| 3.6. | டிடிவி | μமீ | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7. | வில் | μமீ | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 अनुक्षित | வார்ப் | μமீ | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 ம.நே. | ஏ.எஃப்.எம் | nm | ரா≤0.2 | ரா≤0.2 | ரா≤0.2 |
| 4: கட்டமைப்பு | |||||
| 4.1 अंगिरामान | நுண்குழாய் அடர்த்தி | இஏ/செமீ2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 अंगिरामाना | உலோக உள்ளடக்கம் | அணுக்கள்/செ.மீ2 | ≤1E11 என்பது | ≤1E11 என்பது | NA |
| 4.3 தமிழ் | டி.எஸ்.டி. | இஏ/செமீ2 | ≤500 டாலர்கள் | ≤1000 டாலர்கள் | NA |
| 4.4 अंगिरामान | பிபிடி | இஏ/செமீ2 | ≤2000 ≤2000 | ≤5000 ≤5000 | NA |
| 4.5 अनुक्षित | டெட் | இஏ/செமீ2 | ≤7000 ≤1000/- க்கு மேல் | ≤10000 | NA |
| 5.முன் தரம் | |||||
| 5.1 अंगिराहित | முன்பக்கம் | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 अंगिराहित | மேற்பரப்பு பூச்சு | -- | சை-ஃபேஸ் CMP | சை-ஃபேஸ் CMP | சை-ஃபேஸ் CMP |
| 5.3.3 தமிழ் | துகள் | ஈஏ/வேஃபர் | ≤100(அளவு≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 अंगिरामान | கீறல் | ஈஏ/வேஃபர் | ≤5, மொத்த நீளம் ≤200மிமீ | NA | NA |
| 5.5 अनुक्षित | விளிம்பு சில்லுகள்/இன்டென்ட்கள்/பிளவுகள்/கறைகள்/மாசுபாடு | -- | யாரும் இல்லை | யாரும் இல்லை | NA |
| 5.6.1 अनुक्षि� | பாலிடைப் பகுதிகள் | -- | யாரும் இல்லை | பரப்பளவு ≤10% | பரப்பளவு ≤30% |
| 5.7 தமிழ் | முன்பக்கக் குறியிடுதல் | -- | யாரும் இல்லை | யாரும் இல்லை | யாரும் இல்லை |
| 6: பின் தரம் | |||||
| 6.1 தமிழ் | பின் பூச்சு | -- | சி-ஃபேஸ் எம்.பி. | சி-ஃபேஸ் எம்.பி. | சி-ஃபேஸ் எம்.பி. |
| 6.2 अनुक्षित | கீறல் | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 தமிழ் | பின்புற குறைபாடுகள் விளிம்பு சில்லுகள்/இன்டென்ட்கள் | -- | யாரும் இல்லை | யாரும் இல்லை | NA |
| 6.4 தமிழ் | பின்புற கடினத்தன்மை | nm | ரா≤5 | ரா≤5 | ரா≤5 |
| 6.5 अनुक्षित | பின்புறக் குறியிடுதல் | -- | உச்சநிலை | உச்சநிலை | உச்சநிலை |
| 7: விளிம்பு | |||||
| 7.1 தமிழ் | விளிம்பு | -- | சேம்பர் | சேம்பர் | சேம்பர் |
| 8: தொகுப்பு | |||||
| 8.1 தமிழ் | பேக்கேஜிங் | -- | வெற்றிடத்துடன் கூடிய எபி-ரெடி பேக்கேஜிங் | வெற்றிடத்துடன் கூடிய எபி-ரெடி பேக்கேஜிங் | வெற்றிடத்துடன் கூடிய எபி-ரெடி பேக்கேஜிங் |
| 8.2 अनुकाला अनुका अनुका अनुका अनुक्ष | பேக்கேஜிங் | -- | மல்டி-வேஃபர் கேசட் பேக்கேஜிங் | மல்டி-வேஃபர் கேசட் பேக்கேஜிங் | மல்டி-வேஃபர் கேசட் பேக்கேஜிங் |
விரிவான வரைபடம்
உங்கள் செய்தியை இங்கே எழுதி எங்களுக்கு அனுப்புங்கள்.