8 இன்ச் SiC உற்பத்தி தர செதில் 4H-N SiC அடி மூலக்கூறு

குறுகிய விளக்கம்:

8-அங்குல SiC அடி மூலக்கூறுகள் பவர் MOSFETகள் (மெட்டல் ஆக்சைடு செமிகண்டக்டர் ஃபீல்ட் எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர்கள்), ஷாட்கி டையோட்கள் மற்றும் பிற சக்தி குறைக்கடத்தி சாதனங்கள் போன்ற உயர்-சக்தி மின்னணு சாதனங்களில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.


தயாரிப்பு விவரம்

தயாரிப்பு குறிச்சொற்கள்

பின்வரும் அட்டவணை எங்கள் 8inch SiC செதில்களின் விவரக்குறிப்புகளைக் காட்டுகிறது:

8 இன்ச் N-வகை SiC DSP விவரக்குறிப்புகள்

எண் பொருள் அலகு உற்பத்தி ஆராய்ச்சி போலி
1: அளவுருக்கள்
1.1 பலவகை -- 4H 4H 4H
1.2 மேற்பரப்பு நோக்குநிலை ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2:மின் அளவுரு
2.1 ஊக்க மருந்து -- n-வகை நைட்ரஜன் n-வகை நைட்ரஜன் n-வகை நைட்ரஜன்
2.2 எதிர்ப்புத்திறன் ஓம் · செ.மீ 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3: இயந்திர அளவுரு
3.1 விட்டம் mm 200 ± 0.2 200 ± 0.2 200 ± 0.2
3.2 தடிமன் μm 500±25 500±25 500±25
3.3 நாட்ச் நோக்குநிலை ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 நாட்ச் ஆழம் mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 எல்டிவி μm ≤5(10மிமீ*10மிமீ) ≤5(10மிமீ*10மிமீ) ≤10(10மிமீ*10மிமீ)
3.6 டிடிவி μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 வில் μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 வார்ப் μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm ரா≤0.2 ரா≤0.2 ரா≤0.2
4: அமைப்பு
4.1 நுண்குழாய் அடர்த்தி ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 உலோக உள்ளடக்கம் அணுக்கள்/செமீ2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5.முன் தரம்
5.1 முன் -- Si Si Si
5.2 மேற்பரப்பு பூச்சு -- Si-Face CMP Si-Face CMP Si-Face CMP
5.3 துகள் ea/wafer ≤100(அளவு≥0.3μm) NA NA
5.4 கீறல் ea/wafer ≤5,மொத்த நீளம்≤200mm NA NA
5.5 விளிம்பு
சில்லுகள் / உள்தள்ளல்கள் / விரிசல்கள் / கறைகள் / மாசுபாடு
-- இல்லை இல்லை NA
5.6 பாலிடைப் பகுதிகள் -- இல்லை பகுதி ≤10% பகுதி ≤30%
5.7 முன் குறித்தல் -- இல்லை இல்லை இல்லை
6: பின் தரம்
6.1 பின் பூச்சு -- சி-முகம் எம்.பி சி-முகம் எம்.பி சி-முகம் எம்.பி
6.2 கீறல் mm NA NA NA
6.3 பின்புற குறைபாடுகள் விளிம்பு
சில்லுகள் / உள்தள்ளல்கள்
-- இல்லை இல்லை NA
6.4 முதுகு முரட்டுத்தனம் nm ரா≤5 ரா≤5 ரா≤5
6.5 பின் குறியிடுதல் -- நாட்ச் நாட்ச் நாட்ச்
7:விளிம்பு
7.1 விளிம்பு -- சேம்ஃபர் சேம்ஃபர் சேம்ஃபர்
8: தொகுப்பு
8.1 பேக்கேஜிங் -- வெற்றிடத்துடன் எபி-ரெடி
பேக்கேஜிங்
வெற்றிடத்துடன் எபி-ரெடி
பேக்கேஜிங்
வெற்றிடத்துடன் எபி-ரெடி
பேக்கேஜிங்
8.2 பேக்கேஜிங் -- மல்டி-வேஃபர்
கேசட் பேக்கேஜிங்
மல்டி-வேஃபர்
கேசட் பேக்கேஜிங்
மல்டி-வேஃபர்
கேசட் பேக்கேஜிங்

விரிவான வரைபடம்

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • முந்தைய:
  • அடுத்தது:

  • உங்கள் செய்தியை இங்கே எழுதி எங்களுக்கு அனுப்பவும்