HPSI SiC வேஃபர் டயா: 3 இன்ச் தடிமன்: 350um± 25 µm பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ்

சுருக்கமான விளக்கம்:

3 அங்குல விட்டம் மற்றும் 350 µm ± 25 µm தடிமன் கொண்ட HPSI (உயர்-தூய்மை சிலிக்கான் கார்பைடு) SiC செதில் அதிக செயல்திறன் கொண்ட அடி மூலக்கூறுகள் தேவைப்படும் ஆற்றல் மின்னணு பயன்பாடுகளுக்காக வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த SiC செதில் உயர்ந்த வெப்ப கடத்துத்திறன், உயர் முறிவு மின்னழுத்தம் மற்றும் அதிக இயக்க வெப்பநிலையில் செயல்திறனை வழங்குகிறது, இது ஆற்றல்-திறனுள்ள மற்றும் வலுவான ஆற்றல் மின்னணு சாதனங்களுக்கான வளர்ந்து வரும் தேவைக்கு சிறந்த தேர்வாக அமைகிறது. SiC செதில்கள் உயர் மின்னழுத்தம், உயர் மின்னோட்டம் மற்றும் உயர் அதிர்வெண் பயன்பாடுகளுக்கு மிகவும் பொருத்தமானவை, பாரம்பரிய சிலிக்கான் அடி மூலக்கூறுகள் செயல்பாட்டுத் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்யத் தவறிவிடுகின்றன.
எங்கள் HPSI SiC வேஃபர், சமீபத்திய தொழில்துறை-முன்னணி நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி புனையப்பட்டது, பல தரங்களில் கிடைக்கிறது, ஒவ்வொன்றும் குறிப்பிட்ட உற்பத்தித் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்யும் வகையில் வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. செதில் சிறப்பான கட்டமைப்பு ஒருமைப்பாடு, மின் பண்புகள் மற்றும் மேற்பரப்பு தரம் ஆகியவற்றை வெளிப்படுத்துகிறது, இது ஆற்றல் குறைக்கடத்திகள், மின்சார வாகனங்கள் (EVகள்), புதுப்பிக்கத்தக்க ஆற்றல் அமைப்புகள் மற்றும் தொழில்துறை ஆற்றல் மாற்றம் உள்ளிட்ட கோரும் பயன்பாடுகளில் நம்பகமான செயல்திறனை வழங்க முடியும் என்பதை உறுதி செய்கிறது.

எங்களுக்கு மின்னஞ்சல் அனுப்பவும்

தயாரிப்பு விவரம்

தயாரிப்பு குறிச்சொற்கள்

விண்ணப்பம்

HPSI SiC செதில்கள் பலவிதமான ஆற்றல் மின்னணுப் பயன்பாடுகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, அவற்றுள்:

பவர் குறைக்கடத்திகள்:SiC செதில்கள் பொதுவாக பவர் டையோட்கள், டிரான்சிஸ்டர்கள் (MOSFETகள், IGBTகள்) மற்றும் தைரிஸ்டர்கள் உற்பத்தியில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. இந்த குறைக்கடத்திகள், தொழில்துறை மோட்டார் டிரைவ்கள், பவர் சப்ளைகள் மற்றும் புதுப்பிக்கத்தக்க எரிசக்தி அமைப்புகளுக்கான இன்வெர்ட்டர்கள் போன்ற உயர் செயல்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மை தேவைப்படும் மின்மாற்ற பயன்பாடுகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.
மின்சார வாகனங்கள் (EVs):மின்சார வாகன பவர்டிரெய்ன்களில், SiC-சார்ந்த சக்தி சாதனங்கள் வேகமான மாறுதல் வேகம், அதிக ஆற்றல் திறன் மற்றும் குறைக்கப்பட்ட வெப்ப இழப்புகளை வழங்குகின்றன. SiC கூறுகள் பேட்டரி மேலாண்மை அமைப்புகள் (BMS), சார்ஜிங் உள்கட்டமைப்பு மற்றும் ஆன்-போர்டு சார்ஜர்கள் (OBCs) ஆகியவற்றில் உள்ள பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றதாக இருக்கும், அங்கு எடையைக் குறைப்பது மற்றும் ஆற்றல் மாற்ற செயல்திறனை அதிகரிப்பது மிகவும் முக்கியமானது.

புதுப்பிக்கத்தக்க ஆற்றல் அமைப்புகள்:SiC செதில்கள் அதிக அளவில் சோலார் இன்வெர்ட்டர்கள், காற்று விசையாழி ஜெனரேட்டர்கள் மற்றும் ஆற்றல் சேமிப்பு அமைப்புகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, அங்கு அதிக செயல்திறன் மற்றும் வலிமை அவசியம். SiC-அடிப்படையிலான கூறுகள் இந்த பயன்பாடுகளில் அதிக ஆற்றல் அடர்த்தி மற்றும் மேம்பட்ட செயல்திறனை செயல்படுத்துகிறது, ஒட்டுமொத்த ஆற்றல் மாற்றும் திறனை மேம்படுத்துகிறது.

தொழில்துறை பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ்:மோட்டார் டிரைவ்கள், ரோபாட்டிக்ஸ் மற்றும் பெரிய அளவிலான மின்சாரம் போன்ற உயர் செயல்திறன் கொண்ட தொழில்துறை பயன்பாடுகளில், SiC செதில்களின் பயன்பாடு செயல்திறன், நம்பகத்தன்மை மற்றும் வெப்ப மேலாண்மை ஆகியவற்றின் அடிப்படையில் மேம்பட்ட செயல்திறனை அனுமதிக்கிறது. SiC சாதனங்கள் அதிக மாறுதல் அதிர்வெண்கள் மற்றும் அதிக வெப்பநிலையைக் கையாள முடியும், அவை தேவைப்படும் சூழல்களுக்கு ஏற்றதாக அமைகின்றன.

தொலைத்தொடர்பு மற்றும் தரவு மையங்கள்:SiC ஆனது தொலைத்தொடர்பு சாதனங்கள் மற்றும் தரவு மையங்களுக்கான மின் விநியோகங்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது, அங்கு அதிக நம்பகத்தன்மை மற்றும் திறமையான மின்மாற்றம் ஆகியவை முக்கியமானவை. SiC-அடிப்படையிலான சக்தி சாதனங்கள் சிறிய அளவுகளில் அதிக செயல்திறனை செயல்படுத்துகின்றன, இது குறைக்கப்பட்ட மின் நுகர்வு மற்றும் பெரிய அளவிலான உள்கட்டமைப்புகளில் சிறந்த குளிரூட்டும் திறன் ஆகியவற்றை மொழிபெயர்க்கிறது.

SiC செதில்களின் உயர் முறிவு மின்னழுத்தம், குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் மற்றும் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் ஆகியவை இந்த மேம்பட்ட பயன்பாடுகளுக்கு அவற்றை சிறந்த அடி மூலக்கூறாக ஆக்குகின்றன, இது அடுத்த தலைமுறை ஆற்றல்-திறனுள்ள மின் மின்னணுவியல் வளர்ச்சியை செயல்படுத்துகிறது.

பண்புகள்

சொத்து	மதிப்பு
செதில் விட்டம்	3 அங்குலம் (76.2 மிமீ)
செதில் தடிமன்	350 µm ± 25 µm
வேஃபர் நோக்குநிலை	<0001> ஆன்-ஆக்சிஸ் ± 0.5°
நுண்குழாய் அடர்த்தி (MPD)	≤ 1 செமீ⁻²
மின் எதிர்ப்பாற்றல்	≥ 1E7 Ω·cm
டோபண்ட்	நீக்கப்பட்டது
முதன்மை பிளாட் நோக்குநிலை	{11-20} ± 5.0°
முதன்மை பிளாட் நீளம்	32.5 மிமீ ± 3.0 மிமீ
இரண்டாம் நிலை பிளாட் நீளம்	18.0 மிமீ ± 2.0 மிமீ
இரண்டாம் நிலை பிளாட் நோக்குநிலை	Si முகம் மேலே: 90° CW முதல் தட்டையான ± 5.0°
எட்ஜ் விலக்கு	3 மி.மீ
LTV/TTV/Bow/Warp	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm
மேற்பரப்பு கடினத்தன்மை	சி-முகம்: மெருகூட்டப்பட்டது, சி-முகம்: CMP
விரிசல்கள் (அதிக தீவிர ஒளி மூலம் பரிசோதிக்கப்பட்டது)	இல்லை
ஹெக்ஸ் தட்டுகள் (அதிக தீவிர ஒளி மூலம் ஆய்வு செய்யப்பட்டது)	இல்லை
பாலிடைப் பகுதிகள் (அதிக தீவிர ஒளி மூலம் ஆய்வு செய்யப்பட்டது)	ஒட்டுமொத்த பகுதி 5%
கீறல்கள் (அதிக தீவிர ஒளி மூலம் பரிசோதிக்கப்பட்டது)	≤ 5 கீறல்கள், ஒட்டுமொத்த நீளம் ≤ 150 மிமீ
எட்ஜ் சிப்பிங்	≥ 0.5 மிமீ அகலம் மற்றும் ஆழம் எதுவும் அனுமதிக்கப்படவில்லை
மேற்பரப்பு மாசுபாடு (அதிக தீவிர ஒளி மூலம் ஆய்வு செய்யப்பட்டது)	இல்லை

முக்கிய நன்மைகள்

உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன்:SiC செதில்கள் வெப்பத்தை சிதறடிக்கும் அவற்றின் விதிவிலக்கான திறனுக்காக அறியப்படுகின்றன, இது ஆற்றல் சாதனங்களை அதிக செயல்திறனில் செயல்பட அனுமதிக்கிறது மற்றும் அதிக வெப்பமடையாமல் அதிக மின்னோட்டங்களைக் கையாள அனுமதிக்கிறது. வெப்ப மேலாண்மை ஒரு குறிப்பிடத்தக்க சவாலாக இருக்கும் பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸில் இந்த அம்சம் முக்கியமானது.
உயர் முறிவு மின்னழுத்தம்:SiC இன் பரந்த பேண்ட்கேப், அதிக மின்னழுத்த நிலைகளை தாங்கிக்கொள்ள சாதனங்களை செயல்படுத்துகிறது, இது மின் கட்டங்கள், மின்சார வாகனங்கள் மற்றும் தொழில்துறை இயந்திரங்கள் போன்ற உயர் மின்னழுத்த பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றதாக அமைகிறது.
உயர் செயல்திறன்:அதிக மாறுதல் அதிர்வெண்கள் மற்றும் குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸ் ஆகியவற்றின் கலவையானது குறைந்த ஆற்றல் இழப்புடன் சாதனங்களில் விளைகிறது, மின் மாற்றத்தின் ஒட்டுமொத்த செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் சிக்கலான குளிரூட்டும் அமைப்புகளின் தேவையை குறைக்கிறது.
கடுமையான சூழலில் நம்பகத்தன்மை:SiC அதிக வெப்பநிலையில் (600°C வரை) செயல்படும் திறன் கொண்டது, இது பாரம்பரிய சிலிக்கான் அடிப்படையிலான சாதனங்களை சேதப்படுத்தும் சூழல்களில் பயன்படுத்துவதற்கு ஏற்றது.
ஆற்றல் சேமிப்பு:SiC ஆற்றல் சாதனங்கள் ஆற்றல் மாற்றும் திறனை மேம்படுத்துகின்றன, இது மின் நுகர்வு குறைப்பதில் முக்கியமானது, குறிப்பாக தொழில்துறை மின் மாற்றிகள், மின்சார வாகனங்கள் மற்றும் புதுப்பிக்கத்தக்க ஆற்றல் உள்கட்டமைப்பு போன்ற பெரிய அமைப்புகளில்.