இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு (InSb) வேஃபர்கள் N வகை P வகை Epi தயார் அன்டோப் செய்யப்பட்ட டெ டோப் செய்யப்பட்ட அல்லது Ge டோப் செய்யப்பட்ட 2 அங்குலம் 3 அங்குலம் 4 அங்குல தடிமன் இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு (InSb) வேஃபர்கள்
அம்சங்கள்
ஊக்கமருந்து விருப்பங்கள்:
1. டோப் செய்யப்படாதது:இந்த வேஃபர்கள் எந்த ஊக்கமருந்து முகவர்களையும் கொண்டிருக்கவில்லை, இதனால் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி போன்ற சிறப்பு பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றதாக அமைகிறது.
2.Te டோப் (N-வகை):டெல்லூரியம் (Te) ஊக்கமருந்து பொதுவாக N-வகை செதில்களை உருவாக்கப் பயன்படுகிறது, அவை அகச்சிவப்பு கண்டறிதல் கருவிகள் மற்றும் அதிவேக மின்னணுவியல் போன்ற பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றவை.
3.ஜீ டோப் செய்யப்பட்ட (பி-வகை):ஜெர்மானியம் (Ge) ஊக்கமருந்து P-வகை செதில்களை உருவாக்கப் பயன்படுகிறது, இது மேம்பட்ட குறைக்கடத்தி பயன்பாடுகளுக்கு அதிக துளை இயக்கத்தை வழங்குகிறது.
அளவு விருப்பங்கள்:
1. 2-இன்ச், 3-இன்ச் மற்றும் 4-இன்ச் விட்டங்களில் கிடைக்கிறது. இந்த வேஃபர்கள் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாடு முதல் பெரிய அளவிலான உற்பத்தி வரை பல்வேறு தொழில்நுட்பத் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்கின்றன.
2.துல்லியமான விட்டம் சகிப்புத்தன்மை 50.8±0.3மிமீ (2-இன்ச் வேஃபர்களுக்கு) மற்றும் 76.2±0.3மிமீ (3-இன்ச் வேஃபர்களுக்கு) விட்டம் கொண்ட தொகுதிகள் முழுவதும் நிலைத்தன்மையை உறுதி செய்கிறது.
தடிமன் கட்டுப்பாடு:
1. பல்வேறு பயன்பாடுகளில் உகந்த செயல்திறனுக்காக வேஃபர்கள் 500±5μm தடிமன் கொண்டவை.
2. அதிக சீரான தன்மை மற்றும் தரத்தை உறுதி செய்வதற்காக TTV (மொத்த தடிமன் மாறுபாடு), BOW மற்றும் வார்ப் போன்ற கூடுதல் அளவீடுகள் கவனமாகக் கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றன.
மேற்பரப்பு தரம்:
1. மேம்பட்ட ஒளியியல் மற்றும் மின் செயல்திறனுக்காக வேஃபர்கள் பளபளப்பான/பொறிக்கப்பட்ட மேற்பரப்புடன் வருகின்றன.
2.இந்த மேற்பரப்புகள் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சிக்கு ஏற்றவை, உயர் செயல்திறன் கொண்ட சாதனங்களில் மேலும் செயலாக்கத்திற்கு ஒரு மென்மையான தளத்தை வழங்குகின்றன.
எபி-ரெடி:
1. InSb வேஃபர்கள் எபி-ரெடி, அதாவது எபிடாக்சியல் படிவு செயல்முறைகளுக்கு முன்கூட்டியே சிகிச்சையளிக்கப்படுகின்றன. இது செமிகண்டக்டர் உற்பத்தியில் பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றதாக அமைகிறது, அங்கு எபிடாக்சியல் அடுக்குகளை வேஃபரின் மேல் வளர்க்க வேண்டும்.
பயன்பாடுகள்
1. அகச்சிவப்பு கண்டுபிடிப்பாளர்கள்:InSb வேஃபர்கள் பொதுவாக அகச்சிவப்பு (IR) கண்டறிதலில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, குறிப்பாக நடுத்தர அலைநீள அகச்சிவப்பு (MWIR) வரம்பில். இந்த வேஃபர்கள் இரவு பார்வை, வெப்ப இமேஜிங் மற்றும் அகச்சிவப்பு நிறமாலை பயன்பாடுகளுக்கு அவசியம்.
2. அதிவேக மின்னணுவியல்:அவற்றின் அதிக எலக்ட்ரான் இயக்கம் காரணமாக, InSb வேஃபர்கள் உயர் அதிர்வெண் டிரான்சிஸ்டர்கள், குவாண்டம் கிணறு சாதனங்கள் மற்றும் உயர்-எலக்ட்ரான் இயக்கம் டிரான்சிஸ்டர்கள் (HEMTகள்) போன்ற அதிவேக மின்னணு சாதனங்களில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.
3. குவாண்டம் கிணறு சாதனங்கள்:குறுகிய பட்டை இடைவெளி மற்றும் சிறந்த எலக்ட்ரான் இயக்கம் InSb வேஃபர்களை குவாண்டம் கிணறு சாதனங்களில் பயன்படுத்த ஏற்றதாக ஆக்குகின்றன. இந்த சாதனங்கள் லேசர்கள், டிடெக்டர்கள் மற்றும் பிற ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் அமைப்புகளில் முக்கிய கூறுகளாகும்.
4. ஸ்பின்ட்ரோனிக் சாதனங்கள்:தகவல் செயலாக்கத்திற்கு எலக்ட்ரான் சுழல் பயன்படுத்தப்படும் சுழல்-மின்னழுத்த பயன்பாடுகளிலும் InSb ஆராயப்படுகிறது. பொருளின் குறைந்த சுழல்-சுற்றுப்பாதை இணைப்பு இந்த உயர் செயல்திறன் கொண்ட சாதனங்களுக்கு ஏற்றதாக அமைகிறது.
5. டெராஹெர்ட்ஸ் (THz) கதிர்வீச்சு பயன்பாடுகள்:InSb-அடிப்படையிலான சாதனங்கள், அறிவியல் ஆராய்ச்சி, இமேஜிங் மற்றும் பொருள் தன்மைப்படுத்தல் உள்ளிட்ட THz கதிர்வீச்சு பயன்பாடுகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. அவை THz நிறமாலை மற்றும் THz இமேஜிங் அமைப்புகள் போன்ற மேம்பட்ட தொழில்நுட்பங்களை செயல்படுத்துகின்றன.
6. வெப்ப மின் சாதனங்கள்:InSb இன் தனித்துவமான பண்புகள் வெப்ப மின் பயன்பாடுகளுக்கு ஒரு கவர்ச்சிகரமான பொருளாக அமைகின்றன, அங்கு வெப்பத்தை திறமையாக மின்சாரமாக மாற்ற இதைப் பயன்படுத்தலாம், குறிப்பாக விண்வெளி தொழில்நுட்பம் அல்லது தீவிர சூழல்களில் மின் உற்பத்தி போன்ற முக்கிய பயன்பாடுகளில்.
தயாரிப்பு அளவுருக்கள்
| அளவுரு | 2-அங்குலம் | 3-அங்குலம் | 4-அங்குலம் |
| விட்டம் | 50.8±0.3மிமீ | 76.2±0.3மிமீ | - |
| தடிமன் | 500±5μm | 650±5μm | - |
| மேற்பரப்பு | பளபளப்பானது/பொறிக்கப்பட்டது | பளபளப்பானது/பொறிக்கப்பட்டது | பளபளப்பானது/பொறிக்கப்பட்டது |
| ஊக்கமருந்து வகை | ஊக்கமருந்து நீக்கப்பட்டது, டெ-ஊக்கமருந்து (N), ஜி-ஊக்கமருந்து (P) | ஊக்கமருந்து நீக்கப்பட்டது, டெ-ஊக்கமருந்து (N), ஜி-ஊக்கமருந்து (P) | ஊக்கமருந்து நீக்கப்பட்டது, டெ-ஊக்கமருந்து (N), ஜி-ஊக்கமருந்து (P) |
| நோக்குநிலை | (100) | (100) | (100) |
| தொகுப்பு | ஒற்றை | ஒற்றை | ஒற்றை |
| எபி-ரெடி | ஆம் | ஆம் | ஆம் |
டெ டோப்பிற்கான மின் அளவுருக்கள் (N-வகை):
- இயக்கம்: 2000-5000 செ.மீ²/வி·வி
- மின்தடை: (1-1000) Ω·செ.மீ.
- EPD (குறைபாடு அடர்த்தி): ≤2000 குறைபாடுகள்/செ.மீ²
Ge Doped (P-வகை)க்கான மின் அளவுருக்கள்:
- இயக்கம்: 4000-8000 செ.மீ²/வி·வி
- மின்தடை: (0.5-5) Ω·செ.மீ.
- EPD (குறைபாடு அடர்த்தி): ≤2000 குறைபாடுகள்/செ.மீ²
முடிவுரை
மின்னணுவியல், ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் அகச்சிவப்பு தொழில்நுட்பங்கள் ஆகிய துறைகளில் பரந்த அளவிலான உயர் செயல்திறன் பயன்பாடுகளுக்கு இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு (InSb) வேஃபர்கள் ஒரு அத்தியாவசியப் பொருளாகும். அவற்றின் சிறந்த எலக்ட்ரான் இயக்கம், குறைந்த சுழல்-சுற்றுப்பாதை இணைப்பு மற்றும் பல்வேறு ஊக்கமருந்து விருப்பங்களுடன் (N-வகைக்கு Te, P-வகைக்கு Ge), InSb வேஃபர்கள் அகச்சிவப்பு கண்டுபிடிப்பான்கள், அதிவேக டிரான்சிஸ்டர்கள், குவாண்டம் கிணறு சாதனங்கள் மற்றும் சுழல் மின்னணு சாதனங்கள் போன்ற சாதனங்களில் பயன்படுத்த ஏற்றதாக இருக்கும்.
இந்த வேஃபர்கள் பல்வேறு அளவுகளில் (2-இன்ச், 3-இன்ச் மற்றும் 4-இன்ச்) கிடைக்கின்றன, துல்லியமான தடிமன் கட்டுப்பாடு மற்றும் எபி-ரெடி மேற்பரப்புகளுடன், அவை நவீன குறைக்கடத்தி உற்பத்தியின் கடுமையான தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்வதை உறுதி செய்கின்றன. இந்த வேஃபர்கள் IR கண்டறிதல், அதிவேக மின்னணுவியல் மற்றும் THz கதிர்வீச்சு போன்ற துறைகளில் பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றவை, ஆராய்ச்சி, தொழில் மற்றும் பாதுகாப்பு ஆகியவற்றில் மேம்பட்ட தொழில்நுட்பங்களை செயல்படுத்துகின்றன.
விரிவான வரைபடம்
