அடி மூலக்கூறு
-
8 இன்ச் 200மிமீ சிலிக்கான் கார்பைடு SiC Wafers 4H-N வகை உற்பத்தி தரம் 500um தடிமன்
-
8 அங்குல 200மிமீ சபையர் வேஃபர் கேரியர் சப்ரேட் 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
4 அங்குல உயர் தூய்மை Al2O3 99.999% சபையர் அடி மூலக்கூறு செதில் Dia101.6×0.65mmt முதன்மை தட்டையான நீளம்
-
3 இன்ச் 76.2mm 4H-Semi SiC அடி மூலக்கூறு செதில் சிலிக்கான் கார்பைடு அரை-அவமதிப்பு SiC செதில்கள்
-
2 இன்ச் 50.8மிமீ சிலிக்கான் கார்பைடு SiC வேஃபர்ஸ் டோப் செய்யப்பட்ட Si N-வகை உற்பத்தி ஆராய்ச்சி மற்றும் போலி தரம்
-
2 இன்ச் 50.8மிமீ சபையர் வேஃபர் சி-பிளேன் எம்-பிளேன் ஆர்-பிளேன் ஏ-பிளேன்
-
2 இன்ச் 50.8மிமீ ஜெர்மானியம் வேஃபர் அடி மூலக்கூறு ஒற்றை படிக 1SP 2SP
-
3 இன்ச் 4 இன்ச் 6 இன்ச் LiNbO3 வேஃபர் அடி மூலக்கூறு ஒற்றை படிக பொருள்
-
8 இன்ச் லித்தியம் நியோபேட் வேஃபர் LiNbO3 LN வேஃபர்
-
2 இன்ச் 50.8மிமீ சபையர் வேஃபர் சி-பிளேன் எம்-பிளேன் ஆர்-பிளேன் ஏ-பிளேன் தடிமன் 350உம் 430உம் 500உம்
-
2 இன்ச் 50.8மிமீ தடிமன் 0.1மிமீ 0.2மிமீ 0.43மிமீ சபையர் வேஃபர் சி-பிளேன் எம்-பிளேன் ஆர்-பிளேன் ஏ-பிளேன்
-
8 இன்ச் 200மிமீ சபையர் வேஃபர் கேரியர் சப்ஸ்ரேட் SSP DSP தடிமன் 0.5mm 0.75mm