சபையர் எபி-லேயர் செதில் 100mm 4inch GaN காலியம் நைட்ரைடு எபிடாக்சியல் வேஃபர்

(1) உயர் வெப்பநிலை பேக்கிங், சபையர் அடி மூலக்கூறு முதலில் ஹைட்ரஜன் வளிமண்டலத்தில் 1050℃ க்கு சூடேற்றப்படுகிறது, இதன் நோக்கம் அடி மூலக்கூறு மேற்பரப்பை சுத்தம் செய்வதாகும்;

(2) அடி மூலக்கூறு வெப்பநிலை 510℃ ஆக குறையும் போது, ​​30nm தடிமன் கொண்ட குறைந்த வெப்பநிலை GaN/AlN தாங்கல் அடுக்கு சபையர் அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் வைக்கப்படுகிறது;

(3) 10 ℃ க்கு வெப்பநிலை உயர்வு, எதிர்வினை வாயு அம்மோனியா, ட்ரைமெதில்காலியம் மற்றும் சிலேன் உட்செலுத்தப்பட்டு, முறையே தொடர்புடைய ஓட்ட விகிதத்தைக் கட்டுப்படுத்துகிறது, மேலும் 4um தடிமன் கொண்ட சிலிக்கான்-டோப் செய்யப்பட்ட N-வகை GaN வளர்க்கப்படுகிறது;

(4) 0.15um தடிமன் கொண்ட சிலிக்கான்-டோப் செய்யப்பட்ட N-வகை A⒑ கண்டங்களைத் தயாரிக்க ட்ரைமெதில் அலுமினியம் மற்றும் ட்ரைமெதில் காலியம் ஆகியவற்றின் எதிர்வினை வாயு பயன்படுத்தப்பட்டது;

(5) 50nm Zn-டோப் செய்யப்பட்ட InGaN ஆனது 8O0℃ வெப்பநிலையில் ட்ரைமெதில்காலியம், ட்ரைமெதிலிண்டியம், டைதில்சின்க் மற்றும் அம்மோனியாவை செலுத்தி முறையே வெவ்வேறு ஓட்ட விகிதங்களைக் கட்டுப்படுத்துவதன் மூலம் தயாரிக்கப்பட்டது;

(6) வெப்பநிலை 1020℃ ஆக அதிகரிக்கப்பட்டது, 0.15um Mg டோப் செய்யப்பட்ட P-வகை AlGaN மற்றும் 0.5um Mg டோப் செய்யப்பட்ட P-வகை G இரத்த குளுக்கோஸ் தயாரிப்பதற்காக ட்ரைமெதிலாலுமினியம், ட்ரைமெதில்காலியம் மற்றும் பிஸ் (சைக்ளோபென்டாடைனைல்) மெக்னீசியம் செலுத்தப்பட்டது;

(7) நைட்ரஜன் வளிமண்டலத்தில் 700℃ இல் அனீலிங் செய்வதன் மூலம் உயர்தர P-வகை GaN சிபுயன் படம் பெறப்பட்டது;

(8) N-வகை G தேக்க மேற்பரப்பை வெளிப்படுத்த P-வகை G தேக்க மேற்பரப்பில் பொறித்தல்;

(9) p-GaNI மேற்பரப்பில் Ni/Au தொடர்பு தகடுகளின் ஆவியாதல், ll-GaN மேற்பரப்பில் △/Al தொடர்பு தகடுகளின் ஆவியாதல் மின்முனைகளை உருவாக்குதல்.