8 இன்ச் 200மிமீ சிலிக்கான் கார்பைடு SiC Wafers 4H-N வகை உற்பத்தி தரம் 500um தடிமன்

அளவு: 8 அங்குலம்;

விட்டம்: 200 மிமீ ± 0.2;

தடிமன்: 500um±25;

மேற்பரப்பு நோக்குநிலை: 4 நோக்கி [11-20]±0.5°;

நாட்ச் நோக்குநிலை:[1-100]±1°;

நாட்ச் ஆழம்: 1±0.25mm;

நுண்குழாய்: <1cm2;

ஹெக்ஸ் தட்டுகள்: எதுவும் அனுமதிக்கப்படவில்லை;

எதிர்ப்பாற்றல்: 0.015~0.028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED:<6000cm2

BPD:<2000cm2

TSD:<1000cm2

SF: பகுதி<1%

TTV≤15um;

வார்ப்≤40um;

வில்≤25um;

பல பகுதிகள்: ≤5%;

கீறல்: <5 மற்றும் ஒட்டுமொத்த நீளம்< 1 வேஃபர் விட்டம்;

சில்லுகள்/இன்டென்ட்கள்: D>0.5mm அகலம் மற்றும் ஆழம் எதுவும் அனுமதிக்கவில்லை;

விரிசல்: இல்லை;

கறை: இல்லை

செதில் விளிம்பு: சேம்ஃபர்;

மேற்பரப்பு பூச்சு: இரட்டை பக்க போலிஷ், Si முகம் CMP;

பேக்கிங்: மல்டி-வேஃபர் கேசட் அல்லது ஒற்றை வேஃபர் கொள்கலன்;

200mm 4H-SiC படிகங்களை தயாரிப்பதில் தற்போதைய சிரமங்கள் மெயின்

1) உயர்தர 200mm 4H-SiC விதை படிகங்களை தயாரித்தல்;

2) பெரிய அளவு வெப்பநிலை புலம் அல்லாத சீரான மற்றும் அணுக்கரு செயல்முறை கட்டுப்பாடு;

3) பெரிய அளவிலான படிக வளர்ச்சி அமைப்புகளில் வாயுக் கூறுகளின் போக்குவரத்து திறன் மற்றும் பரிணாமம்;

4) பெரிய அளவிலான வெப்ப அழுத்த அதிகரிப்பால் ஏற்படும் படிக விரிசல் மற்றும் குறைபாடு பெருக்கம்.

இந்த சவால்களை சமாளிப்பதற்கும், உயர்தர 200mm SiC செதில்கள் தீர்வுகளைப் பெறுவதற்கும் முன்மொழியப்பட்டது:

200மிமீ விதை படிக தயாரிப்பு, பொருத்தமான வெப்பநிலை களப்பாய்வு புலம் மற்றும் விரிவடையும் அசெம்பிளி ஆகியவற்றின் அடிப்படையில் படிகத்தின் தரம் மற்றும் விரிவடையும் அளவைக் கணக்கிட வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது;150mm SiC se:d படிகத்துடன் தொடங்கி, SiC படிகத்தை 200mm அடையும் வரை படிப்படியாக விரிவாக்க விதை படிக மறு செய்கையை மேற்கொள்ளுங்கள்;பல படிக வளர்ச்சி மற்றும் செயலாக்கத்தின் மூலம், படிக விரிவடையும் பகுதியில் படிக தரத்தை படிப்படியாக மேம்படுத்தி, 200 மிமீ விதை படிகங்களின் தரத்தை மேம்படுத்தவும்.

200 மிமீ கடத்தும் படிக மற்றும் அடி மூலக்கூறு தயாரிப்பின் அடிப்படையில், பெரிய அளவிலான படிக வளர்ச்சிக்கு, 200 மிமீ கடத்தும் SiC படிக வளர்ச்சியை நடத்துவதற்கும், ஊக்கமருந்து சீரான தன்மையைக் கட்டுப்படுத்துவதற்கும் வெப்பநிலை மற்றும் ஓட்டப் புல வடிவமைப்பை ஆராய்ச்சி மேம்படுத்தியுள்ளது.தோராயமான செயலாக்கம் மற்றும் படிகத்தை வடிவமைத்த பிறகு, நிலையான விட்டம் கொண்ட 8-இன்செலக்ட்ரிகல் கடத்தும் 4H-SiC இங்காட் பெறப்பட்டது.525um அல்லது அதற்கு மேற்பட்ட தடிமன் கொண்ட SiC 200mm செதில்களைப் பெற வெட்டுதல், அரைத்தல், மெருகூட்டுதல், செயலாக்குதல்