8 அங்குல SiC அறிவிப்பு நீண்ட கால நிலையான விநியோகம்

தற்போது, ​​எங்கள் நிறுவனம் 8 அங்குல N வகை SiC வேஃபர்களின் சிறிய தொகுதியை தொடர்ந்து வழங்க முடியும், உங்களுக்கு மாதிரி தேவைகள் இருந்தால், தயவுசெய்து என்னைத் தொடர்பு கொள்ளவும். எங்களிடம் சில மாதிரி வேஃபர்கள் அனுப்ப தயாராக உள்ளன.

8 அங்குல SiC அறிவிப்பு நீண்ட கால நிலையான விநியோகம்
8 அங்குல SiC அறிவிப்பு நீண்ட கால நிலையான விநியோகம்1

குறைக்கடத்தி பொருட்கள் துறையில், பெரிய அளவிலான SiC படிகங்களின் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாட்டில் நிறுவனம் ஒரு பெரிய திருப்புமுனையை ஏற்படுத்தியுள்ளது. பல சுற்று விட்டம் விரிவாக்கத்திற்குப் பிறகு அதன் சொந்த விதை படிகங்களைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம், நிறுவனம் 8 அங்குல N-வகை SiC படிகங்களை வெற்றிகரமாக வளர்த்துள்ளது, இது 8 அங்குல SIC படிகங்களின் வளர்ச்சி செயல்பாட்டில் சீரற்ற வெப்பநிலை புலம், படிக விரிசல் மற்றும் வாயு கட்ட மூலப்பொருள் விநியோகம் போன்ற கடினமான சிக்கல்களைத் தீர்க்கிறது, மேலும் பெரிய அளவிலான SIC படிகங்கள் மற்றும் தன்னாட்சி மற்றும் கட்டுப்படுத்தக்கூடிய செயலாக்க தொழில்நுட்பத்தின் வளர்ச்சியை துரிதப்படுத்துகிறது. SiC ஒற்றை படிக அடி மூலக்கூறு துறையில் நிறுவனத்தின் முக்கிய போட்டித்தன்மையை பெரிதும் மேம்படுத்துகிறது. அதே நேரத்தில், நிறுவனம் பெரிய அளவிலான சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறு தயாரிப்பு சோதனை வரிசையின் தொழில்நுட்பம் மற்றும் செயல்முறையின் குவிப்பை தீவிரமாக ஊக்குவிக்கிறது, அப்ஸ்ட்ரீம் மற்றும் டவுன்ஸ்ட்ரீம் துறைகளில் தொழில்நுட்ப பரிமாற்றம் மற்றும் தொழில்துறை ஒத்துழைப்பை வலுப்படுத்துகிறது, மேலும் தயாரிப்பு செயல்திறனை தொடர்ந்து மீண்டும் செய்ய வாடிக்கையாளர்களுடன் ஒத்துழைக்கிறது, மேலும் சிலிக்கான் கார்பைடு பொருட்களின் தொழில்துறை பயன்பாட்டின் வேகத்தை கூட்டாக ஊக்குவிக்கிறது.

8 அங்குல N-வகை SiC DSP விவரக்குறிப்புகள்

எண் பொருள் அலகு தயாரிப்பு ஆராய்ச்சி போலி
1. அளவுருக்கள்
1.1 समाना समाना समाना समाना स्तुत्र 1. பலவகை -- 4H 4H 4H
1.2 समानाना सम्तुत्र 1.2 மேற்பரப்பு நோக்குநிலை ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2. மின் அளவுரு
2.1 प्रकालिका 2. ஊக்க மருந்து -- n-வகை நைட்ரஜன் n-வகை நைட்ரஜன் n-வகை நைட்ரஜன்
2.2 प्रकालिका 2.2 प्रका 2.2 प्रक� மின்தடைத்திறன் ஓம் ·செ.மீ. 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3. இயந்திர அளவுரு
3.1. விட்டம் mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
3.2.2 अंगिराहिती अन தடிமன் μமீ 500±25 500±25 500±25
3.3. நாட்ச் நோக்குநிலை ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4. உச்சநிலை ஆழம் mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 எல்டிவி μமீ ≤5(10மிமீ*10மிமீ) ≤5(10மிமீ*10மிமீ) ≤10(10மிமீ*10மிமீ)
3.6. டிடிவி μமீ ≤10 ≤10 ≤15
3.7. வில் μமீ -25~25 -45~45 -65~65
3.8 अनुक्षित வார்ப் μமீ ≤30 ≤50 ≤70
3.9 ம.நே. ஏ.எஃப்.எம் nm ரா≤0.2 ரா≤0.2 ரா≤0.2
4. அமைப்பு
4.1 अंगिरामान நுண்குழாய் அடர்த்தி இஏ/செமீ2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 अंगिरामाना உலோக உள்ளடக்கம் அணுக்கள்/செ.மீ2 ≤1E11 என்பது ≤1E11 என்பது NA
4.3 தமிழ் டி.எஸ்.டி. இஏ/செமீ2 ≤500 டாலர்கள் ≤1000 டாலர்கள் NA
4.4 अंगिरामान பிபிடி இஏ/செமீ2 ≤2000 ≤2000 ≤5000 ≤5000 NA
4.5 अनुक्षित டெட் இஏ/செமீ2 ≤7000 ≤1000/- க்கு மேல் ≤10000 NA
5. நேர்மறை தரம்
5.1 अंगिराहित முன்பக்கம் -- Si Si Si
5.2 अंगिराहित மேற்பரப்பு பூச்சு -- சை-ஃபேஸ் CMP சை-ஃபேஸ் CMP சை-ஃபேஸ் CMP
5.3.3 தமிழ் துகள் ஈஏ/வேஃபர் ≤100(அளவு≥0.3μm) NA NA
5.4 अंगिरामान கீறல் ஈஏ/வேஃபர் ≤5, மொத்த நீளம் ≤200மிமீ NA NA
5.5 अनुक्षित விளிம்பு
சில்லுகள்/இன்டென்ட்கள்/பிளவுகள்/கறைகள்/மாசுபாடு
-- யாரும் இல்லை யாரும் இல்லை NA
5.6.1 अनुक्षि� பாலிடைப் பகுதிகள் -- யாரும் இல்லை பரப்பளவு ≤10% பரப்பளவு ≤30%
5.7 தமிழ் முன்பக்கக் குறியிடுதல் -- யாரும் இல்லை யாரும் இல்லை யாரும் இல்லை
6. பின் தரம்
6.1 தமிழ் பின் பூச்சு -- சி-ஃபேஸ் எம்.பி. சி-ஃபேஸ் எம்.பி. சி-ஃபேஸ் எம்.பி.
6.2 अनुक्षित கீறல் mm NA NA NA
6.3 தமிழ் பின்புற குறைபாடுகள் விளிம்பு
சில்லுகள்/இன்டென்ட்கள்
-- யாரும் இல்லை யாரும் இல்லை NA
6.4 தமிழ் பின்புற கடினத்தன்மை nm ரா≤5 ரா≤5 ரா≤5
6.5 अनुक्षित பின்புறக் குறியிடுதல் -- உச்சநிலை உச்சநிலை உச்சநிலை
7. விளிம்பு
7.1 தமிழ் விளிம்பு -- சேம்பர் சேம்பர் சேம்பர்
8. தொகுப்பு
8.1 தமிழ் பேக்கேஜிங் -- வெற்றிடத்துடன் கூடிய எபி-ரெடி
பேக்கேஜிங்
வெற்றிடத்துடன் கூடிய எபி-ரெடி
பேக்கேஜிங்
வெற்றிடத்துடன் கூடிய எபி-ரெடி
பேக்கேஜிங்
8.2 अनुकाला अनुका अनुका अनुका अनुक्ष பேக்கேஜிங் -- மல்டி-வேஃபர்
கேசட் பேக்கேஜிங்
மல்டி-வேஃபர்
கேசட் பேக்கேஜிங்
மல்டி-வேஃபர்
கேசட் பேக்கேஜிங்

இடுகை நேரம்: ஏப்ரல்-18-2023