RF ஒலி சாதனங்களுக்கான (LNOSiC) உயர் செயல்திறன் கொண்ட பன்முகத்தன்மை கொண்ட அடி மூலக்கூறு
விரிவான வரைபடம்
தயாரிப்பு கண்ணோட்டம்
நவீன மொபைல் தொடர்பு அமைப்புகளின் ஒரு முக்கிய அங்கமாக RF முன்-இறுதி தொகுதி உள்ளது, மேலும் RF வடிப்பான்கள் அதன் மிக முக்கியமான கட்டுமானத் தொகுதிகளில் ஒன்றாகும். RF வடிப்பான்களின் செயல்திறன் ஸ்பெக்ட்ரம் பயன்பாட்டு திறன், சிக்னல் ஒருமைப்பாடு, மின் நுகர்வு மற்றும் ஒட்டுமொத்த அமைப்பின் நம்பகத்தன்மையை நேரடியாக தீர்மானிக்கிறது. 5G NR அதிர்வெண் பட்டைகள் அறிமுகப்படுத்தப்பட்டு எதிர்கால வயர்லெஸ் தரநிலைகளை நோக்கிய தொடர்ச்சியான பரிணாம வளர்ச்சியுடன், RF வடிப்பான்கள் செயல்பட வேண்டும்.அதிக அதிர்வெண்கள், பரந்த அலைவரிசைகள், அதிக சக்தி நிலைகள் மற்றும் மேம்படுத்தப்பட்ட வெப்ப நிலைத்தன்மை.
தற்போது, உயர்நிலை RF ஒலி வடிகட்டிகள் இறக்குமதி செய்யப்பட்ட தொழில்நுட்பங்களையே அதிகம் சார்ந்துள்ளன, அதே நேரத்தில் பொருட்கள், சாதன கட்டமைப்புகள் மற்றும் உற்பத்தி செயல்முறைகளில் உள்நாட்டு மேம்பாடு ஒப்பீட்டளவில் குறைவாகவே உள்ளது. எனவே உயர் செயல்திறன், அளவிடக்கூடிய மற்றும் செலவு குறைந்த RF வடிகட்டி தீர்வுகளை அடைவது மிகவும் மூலோபாய முக்கியத்துவம் வாய்ந்தது.
தொழில் பின்னணி மற்றும் தொழில்நுட்ப சவால்கள்
சிறந்த அதிர்வெண் தேர்வுத்திறன், உயர்தர காரணி (Q) மற்றும் குறைந்த செருகல் இழப்பு காரணமாக மொபைல் RF முன்-இறுதி பயன்பாடுகளில் மேற்பரப்பு ஒலி அலை (SAW) மற்றும் மொத்த ஒலி அலை (BAW) வடிப்பான்கள் இரண்டு ஆதிக்கம் செலுத்தும் தொழில்நுட்பங்களாகும். அவற்றில், SAW வடிப்பான்கள் தெளிவான நன்மைகளை வழங்குகின்றன.செலவு, செயல்முறை முதிர்ச்சி மற்றும் பெரிய அளவிலான உற்பத்தித்திறன், உள்நாட்டு RF வடிகட்டி துறையில் அவற்றை முக்கிய தீர்வாக மாற்றுகிறது.
இருப்பினும், மேம்பட்ட 4G மற்றும் 5G தொடர்பு அமைப்புகளில் பயன்படுத்தப்படும்போது வழக்கமான SAW வடிப்பான்கள் உள்ளார்ந்த வரம்புகளை எதிர்கொள்கின்றன, அவற்றுள்:
-
நடுத்தர மற்றும் உயர்-அலைவரிசை 5G NR ஸ்பெக்ட்ரமின் கவரேஜை கட்டுப்படுத்தும் மைய அதிர்வெண் வரம்புக்குட்பட்டது.
-
போதுமான Q காரணி இல்லாதது, அலைவரிசை மற்றும் கணினி செயல்திறனைக் கட்டுப்படுத்துகிறது
-
உச்சரிக்கப்படும் வெப்பநிலை ஏற்ற இறக்கம்
-
வரையறுக்கப்பட்ட சக்தி கையாளும் திறன்
SAW தொழில்நுட்பத்தின் கட்டமைப்பு மற்றும் செயல்முறை நன்மைகளைப் பாதுகாக்கும் அதே வேளையில் இந்தக் கட்டுப்பாடுகளைக் கடந்து செல்வது அடுத்த தலைமுறை RF ஒலி சாதனங்களுக்கு ஒரு முக்கிய தொழில்நுட்ப சவாலாகும்.
வடிவமைப்பு தத்துவம் மற்றும் தொழில்நுட்ப அணுகுமுறை
உடலியல் பார்வையில்:
-
அதிக இயக்க அதிர்வெண்ஒரே மாதிரியான அலைநீள நிலைமைகளின் கீழ் அதிக கட்ட வேகம் கொண்ட ஒலி முறைகள் தேவை.
-
பரந்த அலைவரிசைஅதிக மின் இயந்திர இணைப்பு குணகங்களைக் கோருகிறது
-
அதிக சக்தி கையாளுதல்சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன், இயந்திர வலிமை மற்றும் குறைந்த ஒலி இழப்பு கொண்ட அடி மூலக்கூறுகளைச் சார்ந்துள்ளது.
இந்தப் புரிதலின் அடிப்படையில்,எங்கள் பொறியியல் குழுஇணைப்பதன் மூலம் ஒரு புதிய பன்முக ஒருங்கிணைப்பு அணுகுமுறையை உருவாக்கியுள்ளது.ஒற்றை-படிக லித்தியம் நியோபேட் (LiNbO₃, LN) பைசோ எலக்ட்ரிக் மெல்லிய படலங்கள்உடன்உயர்-ஒலி-வேகம், உயர்-வெப்ப-கடத்துத்திறன் துணை அடி மூலக்கூறுகள், சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) போன்றவை. இந்த ஒருங்கிணைந்த அமைப்பு என குறிப்பிடப்படுகிறதுஎல்என்ஓஎஸ்ஐசி.
மைய தொழில்நுட்பம்: LNOSiC பன்முகத்தன்மை கொண்ட அடி மூலக்கூறு
LNOSiC தளம் பொருள் மற்றும் கட்டமைப்பு இணை வடிவமைப்பு மூலம் ஒருங்கிணைந்த செயல்திறன் நன்மைகளை வழங்குகிறது:
உயர் மின் இயந்திர இணைப்பு
ஒற்றை-படிக LN மெல்லிய படலம் சிறந்த பைசோ எலக்ட்ரிக் பண்புகளை வெளிப்படுத்துகிறது, பெரிய எலக்ட்ரோமெக்கானிக்கல் இணைப்பு குணகங்களுடன் மேற்பரப்பு ஒலி அலைகள் (SAW) மற்றும் லாம்ப் அலைகளின் திறமையான தூண்டுதலை செயல்படுத்துகிறது, இதன் மூலம் அகலக்கற்றை RF வடிகட்டி வடிவமைப்புகளை ஆதரிக்கிறது.
உயர் அதிர்வெண் மற்றும் உயர்-Q செயல்திறன்
துணை அடி மூலக்கூறின் அதிக ஒலி வேகம், ஒலி ஆற்றல் கசிவை திறம்பட அடக்கும் அதே வேளையில், அதிக இயக்க அதிர்வெண்களை செயல்படுத்துகிறது, இதன் விளைவாக மேம்பட்ட தர காரணிகள் ஏற்படுகின்றன.
உயர்ந்த வெப்ப மேலாண்மை
SiC போன்ற துணை அடி மூலக்கூறுகள் விதிவிலக்கான வெப்ப கடத்துத்திறனை வழங்குகின்றன, அதிக RF சக்தி நிலைமைகளின் கீழ் சக்தி கையாளும் திறனையும் நீண்டகால செயல்பாட்டு நிலைத்தன்மையையும் கணிசமாக மேம்படுத்துகின்றன.
செயல்முறை இணக்கத்தன்மை மற்றும் அளவிடுதல்
பன்முகத்தன்மை கொண்ட அடி மூலக்கூறு தற்போதுள்ள SAW உற்பத்தி செயல்முறைகளுடன் முழுமையாக இணக்கமாக உள்ளது, மென்மையான தொழில்நுட்ப பரிமாற்றம், அளவிடக்கூடிய உற்பத்தி மற்றும் செலவு குறைந்த உற்பத்தியை எளிதாக்குகிறது.
சாதன இணக்கத்தன்மை மற்றும் கணினி-நிலை நன்மைகள்
LNOSiC பன்முகத்தன்மை கொண்ட அடி மூலக்கூறு, ஒரே பொருள் தளத்தில் பல RF ஒலி சாதன கட்டமைப்புகளை ஆதரிக்கிறது, அவற்றுள்:
-
வழக்கமான SAW வடிகட்டிகள்
-
வெப்பநிலை-ஈடுசெய்யப்பட்ட SAW (TC-SAW) சாதனங்கள்
-
மின்கடத்தா-மேம்படுத்தப்பட்ட உயர் செயல்திறன் SAW (IHP-SAW) சாதனங்கள்
-
உயர் அதிர்வெண் லாம்ப் அலை ஒலி ரெசனேட்டர்கள்
கொள்கையளவில், ஒரு ஒற்றை LNOSiC வேஃபர் ஆதரிக்க முடியும்3G, 4G மற்றும் 5G பயன்பாடுகளை உள்ளடக்கிய மல்டி-பேண்ட் RF வடிகட்டி வரிசைகள், உண்மையான"ஆல்-இன்-ஒன்" RF ஒலியியல் அடி மூலக்கூறு தீர்வுஇந்த அணுகுமுறை அதிக செயல்திறன் மற்றும் அதிக ஒருங்கிணைப்பு அடர்த்தியை செயல்படுத்தும் அதே வேளையில், அமைப்பின் சிக்கலைக் குறைக்கிறது.
மூலோபாய மதிப்பு மற்றும் தொழில்துறை தாக்கம்
செயல்திறனில் கணிசமான பாய்ச்சலை அடைவதோடு, SAW தொழில்நுட்பத்தின் செலவு மற்றும் செயல்முறை நன்மைகளைப் பாதுகாப்பதன் மூலம், LNOSiC பன்முகத்தன்மை கொண்ட அடி மூலக்கூறு ஒருநடைமுறை, உற்பத்தி செய்யக்கூடிய மற்றும் அளவிடக்கூடிய பாதைஉயர்நிலை RF ஒலி சாதனங்களை நோக்கி.
இந்தத் தீர்வு 4G மற்றும் 5G தொடர்பு அமைப்புகளில் பெரிய அளவிலான பயன்பாட்டை ஆதரிப்பது மட்டுமல்லாமல், எதிர்கால உயர் அதிர்வெண் மற்றும் உயர்-சக்தி RF ஒலி சாதனங்களுக்கான திடமான பொருட்கள் மற்றும் தொழில்நுட்ப அடித்தளத்தையும் நிறுவுகிறது. உயர்நிலை RF வடிப்பான்களின் உள்நாட்டு மாற்றீடு மற்றும் நீண்டகால தொழில்நுட்ப சுயசார்பை நோக்கிய ஒரு முக்கியமான படியை இது பிரதிபலிக்கிறது.
LNOSIC-இன் அடிக்கடி கேட்கப்படும் கேள்விகள்
Q1: வழக்கமான SAW அடி மூலக்கூறுகளிலிருந்து LNOSiC எவ்வாறு வேறுபடுகிறது?
A:வழக்கமான SAW சாதனங்கள் பொதுவாக மொத்த பைசோ எலக்ட்ரிக் அடி மூலக்கூறுகளில் தயாரிக்கப்படுகின்றன, இது அதிர்வெண், Q காரணி மற்றும் சக்தி கையாளுதலை கட்டுப்படுத்துகிறது. LNOSiC ஒரு ஒற்றை-படிக LN மெல்லிய படலத்தை உயர்-வேகம், உயர்-வெப்ப-கடத்துத்திறன் அடி மூலக்கூறுடன் ஒருங்கிணைக்கிறது, இது அதிக அதிர்வெண் செயல்பாடு, பரந்த அலைவரிசை மற்றும் SAW செயல்முறை இணக்கத்தன்மையைத் தக்கவைத்துக்கொண்டு கணிசமாக மேம்படுத்தப்பட்ட சக்தி திறனை செயல்படுத்துகிறது.
கேள்வி 2: BAW/FBAR தொழில்நுட்பங்களுடன் LNOSiC எவ்வாறு ஒப்பிடுகிறது?
A:BAW வடிகட்டிகள் மிக அதிக அதிர்வெண்களில் சிறந்து விளங்குகின்றன, ஆனால் சிக்கலான உற்பத்தி செயல்முறைகள் தேவைப்படுகின்றன மற்றும் அதிக செலவுகளைச் செய்கின்றன. LNOSiC SAW தொழில்நுட்பத்தை குறைந்த செலவு, சிறந்த செயல்முறை முதிர்ச்சி மற்றும் பல-இசைக்குழு ஒருங்கிணைப்புக்கான அதிக நெகிழ்வுத்தன்மை கொண்ட அதிக அதிர்வெண் பட்டைகளுக்கு விரிவுபடுத்துவதன் மூலம் ஒரு நிரப்பு தீர்வை வழங்குகிறது.
கேள்வி 3: 5G NR பயன்பாடுகளுக்கு LNOSiC பொருத்தமானதா?
A:ஆம். LNOSiC இன் உயர் ஒலி வேகம், பெரிய மின் இயந்திர இணைப்பு மற்றும் சிறந்த வெப்ப மேலாண்மை ஆகியவை நடுத்தர மற்றும் உயர்-இசைக்குழு 5G NR வடிப்பான்களுக்கு மிகவும் பொருத்தமானதாக அமைகின்றன, இதில் பரந்த அலைவரிசை மற்றும் அதிக சக்தி கையாளுதல் தேவைப்படும் பயன்பாடுகளும் அடங்கும்.
எங்களை பற்றி
சிறப்பு ஆப்டிகல் கண்ணாடி மற்றும் புதிய படிகப் பொருட்களின் உயர் தொழில்நுட்ப மேம்பாடு, உற்பத்தி மற்றும் விற்பனையில் XKH நிபுணத்துவம் பெற்றது. எங்கள் தயாரிப்புகள் ஆப்டிகல் எலக்ட்ரானிக்ஸ், நுகர்வோர் எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் இராணுவத்திற்கு சேவை செய்கின்றன. நாங்கள் சபையர் ஆப்டிகல் கூறுகள், மொபைல் போன் லென்ஸ் கவர்கள், மட்பாண்டங்கள், LT, சிலிக்கான் கார்பைடு SIC, குவார்ட்ஸ் மற்றும் குறைக்கடத்தி படிக வேஃபர்களை வழங்குகிறோம். திறமையான நிபுணத்துவம் மற்றும் அதிநவீன உபகரணங்களுடன், முன்னணி ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் பொருட்கள் உயர் தொழில்நுட்ப நிறுவனமாக இருக்க வேண்டும் என்ற நோக்கத்துடன், தரமற்ற தயாரிப்பு செயலாக்கத்தில் சிறந்து விளங்குகிறோம்.
தொடர்புடைய தயாரிப்புகள்
-
சிலிக்கானில் 8-இன்ச் மற்றும் 6-இன்க்... SOI வேஃபர் இன்சுலேட்டர்
-
InGaAs எபிடாக்சியல் வேஃபர் அடி மூலக்கூறு PD வரிசை புகைப்படம்...
-
GaN on Glass 4-இன்ச்: தனிப்பயனாக்கக்கூடிய கண்ணாடி விருப்பங்கள்...
-
6 அங்குல SiC எபிடாக்ஸி வேஃபர் N/P வகை தனிப்பயனாக்கத்தை ஏற்றுக்கொள்கிறது...
-
MOS அல்லது SBDக்கான 4 அங்குல SiC Epi வேஃபர்
-
6 அங்குல GaN-ஆன்-சபையர்